ＮＥＣエレ、次世代半導体でＩＢＭ連合に合流

　半導体大手のＮＥＣエレクトロニクスは１１日、ＩＢＭが主導する次世代半導体製造技術の共同開発に参加すると発表した。システムＬＳＩ（大規模集積回路）の３２ナノメートル（１ナノは１０億分の１）世代プロセスで、性能向上や消費電力低減に向けた開発プロェクトに参画する。プロジェクト参加企業はこれで計８社目となる。

　ＩＢＭはこれまで、東芝や韓国サムスン電子、米フリースケール・セミコンダクタなどと共同開発を進めていた。ＮＥＣエレは東芝と、平成１７年から４５ナノ世代、昨年からは３２ナノ世代で共同開発に着手。「開発負担を分け合うことが重要」（中島俊雄社長）と判断し、東芝との共同開発に加えてＩＢＭ連合への合流も決めた。

　開発拠点はＩＢＭがニューヨークに持つ工場などで実施。ＮＥＣエレは早ければ１０月にも技術者を派遣するとしている。